IPD079N06L3GBTMA1

Ном. номер: 8001780218
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPD079N06L3GBTMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPD079N06L3GBTMA1
45 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 120 шт. — 37.10 руб.
от 503 шт. — 35.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 105 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
122 руб. 3-5 недель, 546 шт. 1 шт. 1 шт.
190 руб. 105 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 130 руб.
от 5 шт. — 84 руб.
от 10 шт. — 70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7.9 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation
79 W
Series
OptiMOS 3
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.223mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Height
2.413mm
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Drain Source Resistance
13.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.56

Дополнительная информация

Datasheet IPD079N06L3GBTMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов