IPD088N06N3GBTMA1

Ном. номер: 8001780219
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPD088N06N3GBTMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPD088N06N3GBTMA1
45 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 111 шт. — 41 руб.
Мин. кол-во для заказа 101 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
77 руб. 8 дней, 4125 шт. 25 шт. 25 шт.
124 руб. 3-4 недели, 1535 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 91 руб.
от 30 шт. — 85.10 руб.
от 100 шт. — 79 руб.
130 руб. 2-4 недели, 2405 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 93 руб.
от 100 шт. — 69 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

MOSFET, N-CH, 60V, 50A, TO-252-3
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.8 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
71 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.41мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.41мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
20 ns
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
8.8 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
36 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2900 пФ при 30 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.4

Дополнительная информация

Datasheet IPD088N06N3GBTMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов