IPD78CN10NGATMA1

Ном. номер: 8001780231
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPD78CN10NGATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPD78CN10NGATMA1
20 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 230 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 131 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 70 руб.
от 5 шт. — 50 руб.
от 10 шт. — 46 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineon's OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation
31 W
Series
OptiMOS 2
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.22mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Height
2.41mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Drain Source Resistance
78 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
8 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.2V
Вес, г
0.438

Дополнительная информация

Datasheet IPD78CN10NGATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.