IPP029N06NAKSA1

Ном. номер: 8001780235
Производитель: Infineon Technologies
IPP029N06NAKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
88 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 100 шт. — 76.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 56 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
174 руб. 2-4 недели, 292 шт. 1 шт. 100 шт.
250 руб. 20 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 190 руб.
от 5 шт. — 148 руб.
от 10 шт. — 130 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
136 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.57мм
Высота
15.95мм
Размеры
10.36 x 4.57 x 15.95мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
17 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
30 нс
Серия
OptiMOS 5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
4,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
56 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4100 пФ при 30 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Максимальный непрерывный ток стока
100 А
Package Type
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
136 W
Серия
OptiMOS 5
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.57мм
Maximum Gate Threshold Voltage
3.3V
Height
15.95mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Drain Source Resistance
4.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Pin Count
3
Типичный заряд затвора при Vgs
56 нКл при 10 В
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Вес, г
2.62

Дополнительная информация

Datasheet IPP029N06NAKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов