IRF5801TRPBF

Ном. номер: 8001780239
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF5801TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF5801TRPBFФото 3/3 IRF5801TRPBF
15 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 383 шт. — 11.90 руб.
от 1610 шт. — 11.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 336 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
43 руб. 5-10 дней, 2780 шт. 1 шт. 1 шт.
38 руб. 3-4 недели, 1908 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 28 руб.
от 30 шт. — 25.60 руб.
от 100 шт. — 23.80 руб.
32 руб. 3 дня, 22 шт. 11 шт. 11 шт.
17 руб. 6 дней, 1267 шт. 1 шт. 91 шт.
от 182 шт. — 14 руб.
24 руб. 8 дней, 1110 шт. 10 шт. 30 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TSOP6, АБ

The IRF5801TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters, DC switches and load switch.

• Fully characterized avalanche voltage and current
• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Halogen-free

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
2200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2
Крутизна характеристики S,А/В
0.44
Температура, С
-55...+150
Корпус
TSOP6
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
600 mA
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.5мм
Высота
0.9мм
Размеры
3 x 1.5 x 0.9мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6,5 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
8,8 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
2.2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
3,9 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
88 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Вес, г
0.046

Дополнительная информация

Datasheet IRF5801TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов