IPP110N20N3GXKSA1

Ном. номер: 8001780245
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPP110N20N3GXKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPP110N20N3GXKSA1
350 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 16 шт. — 290 руб.
от 65 шт. — 276 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
602 руб. 3-4 недели, 333 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 519 руб.
680 руб. 8 дней, 434 шт. 1 шт. 1 шт.
от 5 шт. — 630 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

MOSFET 200V 11mOhm 88A TO220
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 88 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
88 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
300 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.57мм
Высота
9.45мм
Размеры
10.36 x 4.57 x 9.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
41 нс
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
65 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5340 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.792

Дополнительная информация

Datasheet IPP110N20N3GXKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов