IPP60R099C6XKSA1

Ном. номер: 8001780251
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPP60R099C6XKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPP60R099C6XKSA1
270 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 20 шт. — 223 руб.
от 100 шт. — 212 руб.
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
480 руб. 2 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 390 руб.
590 руб. 4 дня, 39 шт. 1 шт. 1 шт.
от 6 шт. — 370 руб.
от 11 шт. — 337 руб.
от 21 шт. — 314 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

N-Ch 600V 37.9A 278W 0.099R TO220
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 37.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 99 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.65mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Package Type
TO-220
Maximum Power Dissipation
35 W
Series
CoolMOS C6
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.9mm
Height
16.15mm
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
119 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Forward Diode Voltage
0.9V
Вес, г
2.8

Дополнительная информация

Datasheet IPP60R099C6XKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов