IPP60R190P6XKSA1

Ном. номер: 8001780253
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPP60R190P6XKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPP60R190P6XKSA1
110 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 45 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
290 руб. 7 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 230 руб.
от 5 шт. — 178 руб.
от 7 шт. — 170 руб.
360 руб. 2-4 недели, 450 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 265 руб.
280 руб. 8 дней, 50 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 220 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

N-Ch 600V 20.2A 151W 0.19R TO220
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
151 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.57мм
Высота
15.95мм
Размеры
10.36 x 4.57 x 15.95мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
CoolMOS P6
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1750 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
0.9V
Вес, г
2.87

Дополнительная информация

Datasheet IPP60R190P6XKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов