IPW50R190CEFKSA1

Ном. номер: 8001780257
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPW50R190CEFKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPW50R190CEFKSA1
160 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
270 руб. 14 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 200 руб.
от 5 шт. — 152 руб.
от 10 шт. — 134 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18.5 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
127 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.21мм
Высота
21.1мм
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9.5 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
54 нс
Серия
CoolMOS CE
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
550 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
47.2 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1137 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
0.85V
Вес, г
7.9

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов