SPB80P06PGATMA1

Ном. номер: 8001780276
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 SPB80P06PGATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SPB80P06PGATMA1
83 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 54 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
360 руб. 3-4 недели, 142 шт. 1 шт. 3 шт.
от 14 шт. — 310 руб.
440 руб. 8 дней, 12 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 300 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

MOSFET, P-CH, 60V, 80A, TO-263
Корпус TO263, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
80 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
340 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.45мм
Высота
4.57мм
Размеры
10.31 x 9.45 x 4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
24 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
56 нс
Серия
SIPMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
115 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4026 пФ при -25 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
3.5

Дополнительная информация

Datasheet SPB80P06PGATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов