SPP80P06PHXKSA1

Ном. номер: 8001780281
PartNumber: SPP80P06PHXKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 SPP80P06PHXKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 SPP80P06PHXKSA1Фото 3/3 SPP80P06PHXKSA1
140 руб.
116 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 35 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
500 руб. 3-4 недели, 3323 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 299 руб.
330 руб. 3-4 недели, 20 шт. 1 шт. 2 шт.
от 15 шт. — 261 руб.
340 руб. 8 дней, 170 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 250 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Ch 60V 80A 340W 0.023R TO220
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
80 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
340 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.57мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
36S
Высота
15.95мм
Размеры
10.36 x 4.57 x 15.95мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
24 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
56 нс
Серия
SIPMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
115 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4026 пФ при -25 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.6V
Вес, г
2.771

Дополнительная информация

Datasheet SPP80P06PHXKSA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.