BCR112E6327HTSA1

Ном. номер: 8001780397
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 BCR112E6327HTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BCR112E6327HTSA1Фото 3/4 BCR112E6327HTSA1Фото 4/4 BCR112E6327HTSA1
2 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 3000 шт. — 1.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 2370 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
5 руб. 4893 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 4.50 руб.
от 1000 шт. — 4 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

NPN-Dig. 50V 0.1A 0.2W SOT23
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 20

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Типичный коэффициент резистора
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.3
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Размеры
2.9 x 1.3 x 1мм
Типичный входной резистор
4,7 кΩ
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20
Вес, г
0.033

Дополнительная информация

Datasheet BCR112E6327HTSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов