IRF2804SPBF

Ном. номер: 8001780430
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF2804SPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF2804SPBFФото 3/6 IRF2804SPBFФото 4/6 IRF2804SPBFФото 5/6 IRF2804SPBFФото 6/6 IRF2804SPBF
120 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 50 шт. — 105 руб.
от 100 шт. — 101 руб.
от 200 шт. — 96.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 39 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
200 руб. 3 дня, 4 шт. 1 шт. 1 шт.
150 руб. 6 дней, 72 шт. 1 шт. 8 шт.
от 15 шт. — 132 руб.
300 руб. 26 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 230 руб.
от 5 шт. — 178 руб.
от 10 шт. — 162 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO263, АБ

Низковольтный транзистор для автоэлектроники IRF2804S компании International Rectifier обладает рекордно низким максимальным сопротивлением открытого канала 2 мОм в корпусе для поверхностного монтажа D2Pak.

Разработанный IR оригинальный технологический процесс производства кристаллов транзисторов с вертикальным расположением затвора (Trench MOSFET) обеспечивает ультранизкое удельное сопротивление канала при его более низкой температурной зависимости наряду с высокой энергией лавинного пробоя, необходимой для обеспечения высокой надежности прибора в тяжелых условиях применения, характерных для автоэлектроники.

Помимо этого, транзистор IRF2804S имеет более низкие потери на переключение и управление, что гарантирует более высокую эффективность ключевых устройств при их применении. Высокая энергия лавинного пробоя дает возможность применять более низковольтные приборы (например, 40-вольтовые вместо 55-вольтовых), извлекая дополнительные преимущества из более низкого сопротивления канала и рабочей температуры кристалла.

Все новые приборы отвечают требованиям норм стандарта Q101 для компонентов автоэлектроники и нормированы на уровень энергии однократного и повторяющегося лавинного пробоя при максимальной температуре кристалла 175°С. По мнению специалистов компании - транзистор IRF2804S обеспечит эталонные характеристики интегрированных стартер/генераторов, генераторов с активным синхронным выпрямлением, электроусилителей руля, систем АБС и приводов на базе щеточных и бесконтактных двигателей постоянного тока.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
280 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
130 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
2 MΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
160 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6450 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
75
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
300
Крутизна характеристики S,А/В
130
Температура, С
-55…+175
Корпус
D2Pak
Вес, г
2.202

Техническая документация

IRF2804S Datasheet
pdf, 663 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео