IRGP35B60PDPBF

Ном. номер: 8001780442
PartNumber: IRGP35B60PDPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRGP35B60PDPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRGP35B60PDPBFФото 3/6 IRGP35B60PDPBFФото 4/6 IRGP35B60PDPBFФото 5/6 IRGP35B60PDPBFФото 6/6 IRGP35B60PDPBF
210 руб.
144 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
490 руб. 6 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 430 руб.
360 руб. 4 дня, 57 шт. 1 шт. 2 шт.
от 7 шт. — 240 руб.
от 14 шт. — 215 руб.
от 25 шт. — 201 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
IGBT транзистор

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC

IGBT, 600V, 40A, TO-247AC Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 40A Voltage, Vce Sat Max 2.15V Power Dissipation 308W Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 120A Power, Pd 308W Time, Rise 6ns
Корпус TO247AC, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 60 А, Напряжение насыщения К-Э 2.55 В, Максимальная мощность 308 Вт, Заряд затвора 160 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 А
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
5.3мм
Высота
20.3мм
Число контактов
3
Размеры
15.9 x 5.3 x 20.3мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
7.166

Техническая документация

IRGP35B60PD
pdf, 287 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRGP35B60PDPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.