IRLI2910PBF

Ном. номер: 8001780449
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRLI2910PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRLI2910PBFФото 3/3 IRLI2910PBF
93 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 250 шт. — 73.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 58 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
260 руб. 2-4 недели, 8 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FULLPAK3, АБ

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Тип корпуса
TO-220FP
Максимальное рассеяние мощности
63 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
16.12мм
Размеры
10.63 x 4.83 x 16.12мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.63мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
49 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
26 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
140 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3700 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Вес, г
2.861

Техническая документация

IRLI2910 Datasheet
pdf, 148 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLI2910PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов