IRF4905STRLPBF

Ном. номер: 8001780465
PartNumber: IRF4905STRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRF4905STRLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRF4905STRLPBFФото 3/4 IRF4905STRLPBFФото 4/4 IRF4905STRLPBF
80 руб.
70 руб.
4749 шт. со склада г.Москва
от 114 шт. — 64.70 руб.
от 238 шт. — 61 руб.
Мин. кол-во для заказа 64 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
100 руб. 100 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 93 руб.
от 150 шт. — 91 руб.
78 руб. 4 дня, 1159 шт. 1 шт. 22 шт.
от 43 шт. — 69 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO262

MOSFET, P, 55V, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: 55V; Current, Id Cont: 74A; Resistance, Rds On: 0.02ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: D2-PAK; Termination Type: SMD; Case Style, Alternate: TO-262AB; Current, Idm Pulse: 260A; Power, Pd: 200W; Voltage, Vds: 55V; Voltage, Vds Max: 55V; Voltage, Vgs th Max: 4V; Voltage, Vgs th Min: 2V
Корпус TO-262-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 42 А, Сопротивление открытого канала (мин) 20 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
70 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
170 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
20 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
51 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
20 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3500 pF @ -25 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.107

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IRF4905STRLPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.