IRF5305PBF

Ном. номер: 8001780514
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/7 IRF5305PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 IRF5305PBFФото 3/7 IRF5305PBFФото 4/7 IRF5305PBFФото 5/7 IRF5305PBFФото 6/7 IRF5305PBFФото 7/7 IRF5305PBF
37 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 150 шт. — 34 руб.
от 300 шт. — 32.30 руб.
от 600 шт. — 30.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 122 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
49 руб. 2118 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 42 руб.
от 150 шт. — 40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, P, -55V, -31A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -55V Current, Id Cont 31A Resistance, Rds On 0.06ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V Voltage, Vgs th Typ -4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 110A Device Marking IRF5305 Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Configuration a Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 110W Power, Pd 110W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.4°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds 55V Voltage, Vds Max 55V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
39 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
60 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1200 pF@ 25 V
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Структура
P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
-55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
-31
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
110
Крутизна характеристики S,А/В
8
Температура, С
-55...+175
Корпус
TO220AB
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
39 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1200 пФ при 25 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.76

Техническая документация

IRF5305 Datasheet
pdf, 129 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF5305PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов