IRFP150NPBF

Ном. номер: 8001780579
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRFP150NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRFP150NPBFФото 3/4 IRFP150NPBFФото 4/4 IRFP150NPBF
75 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 75 шт. — 68 руб.
от 125 шт. — 65.40 руб.
от 275 шт. — 62.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
85 руб. 632 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 78 руб.
от 150 шт. — 76 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБ

The IRFP150NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.

• 175°C Operating temperature
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
42 А
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности
160 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.3мм
Высота
20.3мм
Размеры
15.9 x 5.3 x 20.3мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
36 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1900 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
42 А
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности
160 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.3мм
Высота
20.3мм
Размеры
15.9 x 5.3 x 20.3мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
36 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1900 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
7.12

Техническая документация

IRFP150 datasheet
pdf, 167 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP150NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов