IRF7821PBF

Ном. номер: 8001780604
PartNumber: IRF7821PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF7821PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF7821PBFФото 3/6 IRF7821PBFФото 4/6 IRF7821PBFФото 5/6 IRF7821PBFФото 6/6 IRF7821PBF
26 руб.
434 шт. со склада г.Москва
от 285 шт. — 23.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 178 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
35 руб. 494 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 29 руб.
от 250 шт. — 27 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.1 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+155 °C
Максимальный непрерывный ток стока
13,6 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6,3 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
9,7 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
9 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
9,3 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1010 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.172

Техническая документация

IRF7821 datasheet
pdf, 210 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.