IRF7410PBF

Ном. номер: 8001780614
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF7410PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF7410PBFФото 3/6 IRF7410PBFФото 4/6 IRF7410PBFФото 5/6 IRF7410PBFФото 6/6 IRF7410PBF
45 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 121 шт. — 36.80 руб.
от 475 шт. — 35 руб.
Мин. кол-во для заказа 106 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
120 руб. 3 дня, 410 шт. 1 шт. 1 шт.
от 33 шт. — 54 руб.
от 65 шт. — 47 руб.
от 190 шт. — 41.26 руб.
160 руб. 36 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 95 руб.
от 5 шт. — 60 руб.
от 10 шт. — 50 руб.
50 руб. 6 дней, 1966 шт. 1 шт. 33 шт.
от 65 шт. — 45 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8, АБ

MOSFET, P, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -12V Current, Id Cont 16A Resistance, Rds On 0.007ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -4.5V Voltage, Vgs th Typ -0.9V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 65A External Depth 5.2mm External Length / Height 1.75mm No. of Pins 8 Pin Configuration b Pin Format 1 S 2 S 3 S 4 G 5 D 6 D 7 D 8 D Pitch, Row 6.3mm Power Dissipation 2.5W Power, Pd 2.5W SMD Marking F7410 Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 12V Width, External 4.05mm
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 16 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
271 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
7 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
91 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
8676 пФ при 10 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Структура
P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
-12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
-16
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-0.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Крутизна характеристики S,А/В
55
Температура, С
-55...+150
Корпус
SO8
Вес, г
0.162

Техническая документация

IRF7410 datasheet
pdf, 103 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов