MJD112T4

Ном. номер: 8001780644
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 MJD112T4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 MJD112T4Фото 3/4 MJD112T4Фото 4/4 MJD112T4
16 руб.
10807 шт. со склада г.Москва
от 345 шт. — 13.20 руб.
от 1450 шт. — 12.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 303 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 111 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 85 руб.
от 5 шт. — 44 руб.
от 10 шт. — 31 руб.
77 руб. 3-4 недели, 1989 шт. 3 шт. 3 шт.
от 150 шт. — 28.72 руб.
22 руб. 6 дней, 2682 шт. 1 шт. 73 шт.
от 146 шт. — 19 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц
Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 12000

Технические параметры

Вес, г
0.552

Дополнительная информация

Datasheet MJD112T4
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов