IRGP50B60PDPBF

Ном. номер: 8001780731
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRGP50B60PDPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRGP50B60PDPBFФото 3/5 IRGP50B60PDPBFФото 4/5 IRGP50B60PDPBFФото 5/5 IRGP50B60PDPBF
340 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 50 шт. — 332 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
640 руб. 1 шт. 1 шт. 1 шт.
890 руб. 6 дней, 105 шт. 1 шт. 1 шт.
от 4 шт. — 620 руб.
от 7 шт. — 562 руб.
от 13 шт. — 529 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБ

Корпус TO247AC, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 75 А, Напряжение насыщения К-Э 2.6 В, Максимальная мощность 370 Вт, Заряд затвора 240 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.87мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности
370 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
5.31мм
Высота
20.7мм
Число контактов
3
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Скорость переключения
30 → 150кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
7.174

Дополнительная информация

Datasheet IRGP50B60PDPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов