Мой регион: Россия

IRF3415SPBF

Ном. номер: 8001780826
PartNumber: IRF3415SPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF3415SPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF3415SPBF
61 руб.
55 руб.
1875 шт. со склада г.Москва,
срок 3 рабочих дня
от 100 шт. — 53.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 68 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
480 руб. 1-2 недели, 108 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 180 руб.
110 руб. 4 дня, 83 шт. 1 шт. 6 шт.
от 9 шт. — 94 руб.
от 15 шт. — 70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: D2PAK, вес: 2.02

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
43 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
3,8 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Высота
4.83мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
71 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
42 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
200 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2400 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Техническая документация

IRF3415SPBF Datasheet
pdf, 1066 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.