Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF3415SPBF

Ном. номер: 8001780826
PartNumber: IRF3415SPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF3415SPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF3415SPBFФото 3/6 IRF3415SPBFФото 4/6 IRF3415SPBFФото 5/6 IRF3415SPBFФото 6/6 IRF3415SPBF
66 руб.
570 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 65 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
210 руб. 10 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 160 руб.
от 5 шт. — 116 руб.
от 10 шт. — 101 руб.
110 руб. 6 дней, 47 шт. 1 шт. 7 шт.
от 14 шт. — 77 руб.
160 руб. 8 дней, 100 шт. 50 шт. 50 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: D2PAK

MOSFET, N, 150V, 43A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 150V Current, Id Cont 43A Resistance, Rds On 0.042ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 150A Power Dissipation 200W Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W Power, Pd 200W SMD Marking IRF3415S Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W Voltage, Vds 150V Voltage, Vds Max 150V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 43 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
43 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
3,8 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Высота
4.83мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
71 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
42 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
200 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2400 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
43 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
3,8 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Высота
4.83мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
71 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
42 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
200 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2400 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.018

Техническая документация

IRF3415SPBF Datasheet
pdf, 1066 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.