BCX51.115

Ном. номер: 8001780902
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/3 BCX51.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BCX51.115Фото 3/3 BCX51.115
6 руб.
26483 шт. со склада г.Москва
от 1000 шт. — 4.30 руб.
от 4000 шт. — 4.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 893 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
20 руб. 3-4 недели, 1395 шт. 5 шт. 5 шт.
от 500 шт. — 12.20 руб.
64 руб. 2-4 недели, 2216 шт. 2 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 41 руб.
12 руб. 8 дней, 19800 шт. 50 шт. 50 шт.
28 руб. 4 дня, 935 шт. 1 шт. 45 шт.
от 185 шт. — 8 руб.
от 370 шт. — 6.20 руб.
от 739 шт. — 5.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO243

Корпус TO243, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 250

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
145 МГц
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.6мм
Максимальное напряжение коллектор-база
45 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
UPAK
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.6мм
Максимальный пост. ток коллектора
1 А
Тип транзистора
PNP
Высота
1.6мм
Число контактов
4
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
-40
Вес, г
0.145

Дополнительная информация

Datasheet BCX51.115
Datasheet BCX51.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов