BCX51,115, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А, 1.3 В,т

Фото 1/5 BCX51,115, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А, 1.3 В,т
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
392 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
18 руб.
Мин. кол-во для заказа 26 шт.
от 136 шт.14 руб.
от 272 шт.13 руб.
Добавить в корзину 26 шт. на сумму 468 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8677625181
Артикул: BCX51,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А, 1.3 В,т

Технические параметры

Корпус SOT-89-3
Pd - рассеивание мощности 1300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.6 mm
Длина 4.6 mm
Другие названия товара № 933272280115
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 63
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 63 at 5 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 145 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.6 mm
Base Product Number BCX51 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 145MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-243AA
Power - Max 1.3W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-89
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 45V
Maximum DC Collector Current 1A
Pd - Power Dissipation 1.3W
кол-во в упаковке 1000
Maximum Collector Emitter Voltage -45 V
Minimum DC Current Gain 63
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-89
Pin Count 3
Вес, г 0.14

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1055 КБ
Datasheet
pdf, 788 КБ
Datasheet
pdf, 574 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.