SPA06N80C3XKSA1

Ном. номер: 8001780954
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 SPA06N80C3XKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 SPA06N80C3XKSA1Фото 3/3 SPA06N80C3XKSA1
96 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 50 шт. — 88 руб.
от 100 шт. — 83.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 47 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
220 руб. 2-4 недели, 1294 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 163 руб.
от 100 шт. — 127 руб.
230 руб. 8 дней, 1206 шт. 2 шт. 2 шт.
от 26 шт. — 160 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220F, АБ

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Корпус TO220F, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 900 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
39 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.85мм
Высота
9.83мм
Размеры
10.65 x 4.85 x 9.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.65мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
25 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
72 нс
Серия
CoolMOS C3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
900 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
4 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
785 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
3.008

Дополнительная информация

Datasheet SPA06N80C3XKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов