BSR43.115

Ном. номер: 8001780965
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BSR43.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BSR43.115Фото 3/5 BSR43.115Фото 4/5 BSR43.115Фото 5/5 BSR43.115
8 руб.
4147 шт. со склада г.Москва
от 670 шт. — 6.50 руб.
от 1380 шт. — 6.20 руб.
от 3000 шт. — 5.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 603 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
54 руб. 3-4 недели, 1022 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 40 руб.
от 30 шт. — 37.30 руб.
от 100 шт. — 34.90 руб.
110 руб. 2-4 недели, 1366 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 77 руб.
59 руб. 8 дней, 1100 шт. 10 шт. 10 шт.
60 руб. 4 дня, 952 шт. 1 шт. 18 шт.
от 42 шт. — 22 руб.
от 84 шт. — 20 руб.
от 168 шт. — 17 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO243

Корпус TO243, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Length
4.6мм
Maximum Collector Base Voltage
90 V
Transistor Configuration
Single
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
SOT-89
Maximum Power Dissipation
1.35 W
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
2.6мм
Maximum DC Collector Current
1 A
Transistor Type
NPN
Height
1.6мм
Pin Count
3
Dimensions
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Minimum DC Current Gain
30
Вес, г
0.195

Дополнительная информация

Datasheet BSR43.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.