Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF11NM80

STF11NM80

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

477 шт. со склада г.Москва

270 руб.

Мин. кол-во для заказа 14 шт.

от 31 шт. — 223 руб.

от 150 шт. — 196.54 руб.

Добавить в корзину 14 шт. на сумму 3 780 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8001781007

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

Описание Транзистор полевой STF11NM80 от STMicroelectronics – надежный компонент для мощных электронных схем. Предназначенный для монтажа THT, данный N-MOSFET транзистор обладает током стока 11 А и напряжением сток-исток 800 В, что делает его подходящим для высоковольтных применений. Мощность устройства составляет 35 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,4 Ом, обеспечивает эффективную работу и минимизацию потерь энергии. Продукт заключен в прочный корпус TO220FP, который гарантирует долговечность и стабильность в эксплуатации. Ищите STF11NM80 для создания надежных и мощных электронных устройств. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	11
Напряжение сток-исток, В	800
Мощность, Вт	35
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.4
Корпус	TO220FP

Технические параметры

Корпус	to220fp
кол-во в упаковке	50
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	11 A
Maximum Drain Source Resistance	400 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	35 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Series	MDmesh
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	43.6 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	15 ns
Forward Transconductance - Min:	8 S
Id - Continuous Drain Current:	11 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	35 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	43.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	400 mOhms
Rise Time:	17 ns
Series:	STF11NM80
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	46 ns
Typical Turn-On Delay Time:	22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	11A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1630pF @ 25V
Manufacturer	STMicroelectronics
Operating Temperature	-65В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	35W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 5.5A, 10V
Standard Package	50
Supplier Device Package	TO-220FP
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
Вес, г	3.5