STF11NM80

Ном. номер: 8001781007
PartNumber: STF11NM80
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STF11NM80
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 STF11NM80Фото 3/3 STF11NM80
120 руб.
1530 шт. со склада г.Москва
от 67 шт. — 110 руб.
от 150 шт. — 104 руб.
Мин. кол-во для заказа 38 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
290 руб. 7 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 230 руб.
от 5 шт. — 182 руб.
от 7 шт. — 178 руб.
230 руб. 4 дня, 867 шт. 1 шт. 3 шт.
от 16 шт. — 150 руб.
от 32 шт. — 135 руб.
от 100 шт. — 125 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP

Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 400 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Package Type
TO-220FP
Maximum Power Dissipation
35 W
Mounting Type
Through Hole
Width
4.6mm
Height
9.3mm
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
22 ns
Brand
STMicroelectronics
Typical Turn-Off Delay Time
46 ns
Series
MDmesh
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Pin Count
3
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
1630 pF@ 25 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Вес, г
2.353

Дополнительная информация

Datasheet STF11NM80

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.