IRL530NPBF

Ном. номер: 8001781100
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRL530NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRL530NPBFФото 3/6 IRL530NPBFФото 4/6 IRL530NPBFФото 5/6 IRL530NPBFФото 6/6 IRL530NPBF
43 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 150 шт. — 35.20 руб.
от 550 шт. — 33.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 111 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
44 руб. 310 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 39 руб.
от 150 шт. — 37 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, LOGIC, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 15A Resistance, Rds On 0.1ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 2V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 60A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Power Dissipation 63W Power, Pd 63W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs th Max 2V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
79 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7.2 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
30 нс
Серия
LogicFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
800 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
79 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7,2 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
30 ns
Серия
LogicFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
800 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
±16 В
Вес, г
2.844

Техническая документация

Datasheet IRL530NPBF
pdf, 581 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов