IRF1405ZPBF

Ном. номер: 8001781116
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF1405ZPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF1405ZPBF
85 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 65 шт. — 70.30 руб.
от 250 шт. — 66.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
170 руб. 3 дня, 50 шт. 1 шт. 1 шт.
220 руб. 70 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 170 руб.
от 5 шт. — 130 руб.
от 10 шт. — 114 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
150 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
16.51мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
48 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
4,9 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4780 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Length
10.67mm
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Максимальный непрерывный ток стока
150 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Series
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.83mm
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Height
16.51mm
Максимальное сопротивление сток-исток
4,9 мΩ
Maximum Drain Source Voltage
55 В
Число контактов
3
Typical Gate Charge @ Vgs
120 нКл при 10 В
Transistor Material
Кремний
Номер канала
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Вес, г
2.575

Дополнительная информация

Datasheet IRF1405ZPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.