IRG4PSH71UDPBF

Ном. номер: 8001781130
PartNumber: IRG4PSH71UDPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRG4PSH71UDPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRG4PSH71UDPBFФото 3/5 IRG4PSH71UDPBFФото 4/5 IRG4PSH71UDPBFФото 5/5 IRG4PSH71UDPBF
740 руб.
29 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
830 руб. 8 дней, 929 шт. 1 шт. 1 шт.
950 руб. 3 дня, 21 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 910 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
IGBT транзистор

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO274AA

IGBT, TO-274AA Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 1200V Current Ic Continuous a Max 50A Voltage, Vce Sat Max 2.7V Power Dissipation 350W Case Style TO-247AA Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200V Current, Icm Pulsed 200A No. of Pins 3 Power, Pd 350W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Rise 77ns Transistors, No. of 1
Корпус TO274AA, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 99 А, Напряжение насыщения К-Э 2.7 В, Максимальная мощность 350 Вт, Заряд затвора 380 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
16.1мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
99 А
Тип корпуса
TO-274AA
Максимальное рассеяние мощности
350 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
5.3мм
Высота
20.8мм
Число контактов
3
Размеры
16.1 x 5.3 x 20.8мм
Скорость переключения
200кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
7.976

Техническая документация

IRG4PSH71UDPBF Datasheet
pdf, 239 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.