BDP950H6327XTSA1

Ном. номер: 8001781149
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 BDP950H6327XTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BDP950H6327XTSA1Фото 3/3 BDP950H6327XTSA1
23 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 219 шт. — 21 руб.
от 454 шт. — 19.60 руб.
от 1000 шт. — 18.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 199 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
31 руб. 1624 шт. 1 шт. 1 шт.
от 50 шт. — 26 руб.
от 500 шт. — 24 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261, АБ

PNP 60V 3A 5W B: 85-475 SOT223
Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 3 А, Коэффициент усиления по току, min 85

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,3 В
Длина
6.5мм
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
3.5мм
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Тип транзистора
PNP
Высота
1.5мм
Число контактов
3 + Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Вес, г
0.189

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.