IPB60R099CPATMA1

Ном. номер: 8001781184
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IPB60R099CPATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IPB60R099CPATMA1Фото 3/3 IPB60R099CPATMA1
230 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
480 руб. 3 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 410 руб.
от 3 шт. — 387 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

MOSFET, N, TO-263
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 99 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
255 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
9.45mm
Height
4.57mm
Dimensions
10.31 x 9.45 x 4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.31mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
60 ns
Series
CoolMOS CP
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pin Count
3
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
2800 pF @ 100 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
1.5

Дополнительная информация

Datasheet IPB60R099CPATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.