IPD80R4K5P7ATMA1

Ном. номер: 8001781188
PartNumber: IPD80R4K5P7ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IPD80R4K5P7ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IPD80R4K5P7ATMA1Фото 3/4 IPD80R4K5P7ATMA1Фото 4/4 IPD80R4K5P7ATMA1
20 руб.
609 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 222 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
68 руб. 8 дней, 2190 шт. 10 шт. 10 шт.
110 руб. 3-4 недели, 998 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 78 руб.
от 100 шт. — 46 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.5 Ом

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73мм
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
1,5 А
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation
13 Вт
Серия
CoolMOS P7
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.22мм
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Высота
2.41мм
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
800 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 10 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 В, +30 В
Forward Diode Voltage
0.9V
Вес, г
0.475

Дополнительная информация

Datasheet IPD80R4K5P7ATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.