IPT60R102G7XTMA1

Ном. номер: 8001781193
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IPT60R102G7XTMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IPT60R102G7XTMA1Фото 3/3 IPT60R102G7XTMA1
320 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
670 руб. 2-4 недели, 2279 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 507 руб.
от 100 шт. — 407 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: PGHSOF8, АБ

Высоковольтные MOSFET в SMD-корпусе - реальность!

Упаковав в новой линейке C7 Gold передовую технологию производства MOSFET-транзисторов Superjunction в SMD-корпус нового поколения TOLL с выступающими по одной стороне выводами, компания Infineon задает новые стандарты производства высоковольтных MOSFET для современных силовых приложений, в которых необходимы ключи с жесткой коммутацией.

Технология Superjunction продолжила свое развитие, что воплотилось в следующем поколении силовых высоковольтных полевых транзисторов CoolMOS™C7. Новое поколение позволило достичь уровня удельного сопротивления порядка 1 Ом∙мм2. А потери выключения приборов С7 снизились более чем на 50% по сравнению с предыдущим поколением CP. Но компания Infineon не стала останавливаться на достигнутом: в конце 2016 года в массовое производство вышло новое поколение C7 Gold (G7). Потери выключения транзисторов поколения G7 снижены на 25% по сравнению с поколением C7. При этом по технологическим показателям FoM, определяемым соответствующими соотношениями Rds(on) Eoss и Rds(on) Qgate, поколение G7 становится лучшим в своем классе.

Транзисторы семейств C7 и G7 позволяют комплексно увеличить удельные характеристики преобразователя за счет снижения потерь на силовых ключах и уменьшения требований к системе охлаждения. Таким образом достигается эффект, сходный с получаемым при использовании GaN-транзисторов. Новые семейства предназначены, в первую очередь, для преобразователей, работающих в режиме жесткого переключения, например, корректоров коэффициента мощности.

Корпус PGHSOF8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 23 А, Сопротивление открытого канала (мин) 102 мОм

Технические параметры

Вес, г
0.955

Дополнительная информация

Datasheet IPT60R102G7XTMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов