IPU80R1K4P7AKMA1

Ном. номер: 8001781197
PartNumber: IPU80R1K4P7AKMA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IPU80R1K4P7AKMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IPU80R1K4P7AKMA1Фото 3/4 IPU80R1K4P7AKMA1Фото 4/4 IPU80R1K4P7AKMA1
28 руб.
909 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 165 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
130 руб. 3-4 недели, 1282 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 106 руб.
от 100 шт. — 75 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полевой транзистора N-МОП-транзистор CoolMOS P7

Напряжение: 800 В;

Монтаж: THT;

Корпус TO251, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.4 Ом

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 75, корпус: TO251

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
4 A
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
32 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.41мм
Высота
7.59мм
Размеры
6.73 x 2.41 x 7.59мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
CoolMOS P7
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
1.4 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
10 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
250 пФ при 500 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
0.9V
Вес, г
0.751

Дополнительная информация

Datasheet IPU80R1K4P7AKMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.