SPB17N80C3ATMA1

Ном. номер: 8001781202
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 SPB17N80C3ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 SPB17N80C3ATMA1Фото 3/3 SPB17N80C3ATMA1
220 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 23 шт. — 197 руб.
от 48 шт. — 190 руб.
от 100 шт. — 181 руб.
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
470 руб. 8 дней, 270 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 330 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 290 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
227 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.45мм
Высота
4.57мм
Размеры
10.31 x 9.45 x 4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
25 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
72 нс
Серия
CoolMOS C3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
290 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2300 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
1.912

Дополнительная информация

Datasheet SPB17N80C3ATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов