BCP55.115

Ном. номер: 8001781286
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 BCP55.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BCP55.115Фото 3/4 BCP55.115Фото 4/4 BCP55.115
6 руб.
5964 шт. со склада г.Москва
от 900 шт. — 5.40 руб.
от 2000 шт. — 5.10 руб.
от 4000 шт. — 4.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 755 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
21 руб. 3-4 недели, 315 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 15 руб.
65 руб. 2-4 недели, 2290 шт. 2 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 41 руб.
29 руб. 8 дней, 850 шт. 25 шт. 25 шт.
от 125 шт. — 12 руб.
от 250 шт. — 11.16 руб.
31 руб. 4 дня, 5807 шт. 1 шт. 40 шт.
от 181 шт. — 9 руб.
от 361 шт. — 6.90 руб.
от 722 шт. — 6 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 63, Коэффициент усиления по току, max 250

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
180 MHz
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Максимальное рассеяние мощности
960 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
1 А
Тип транзистора
NPN
Высота
1.7мм
Число контактов
4
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
-40
Вес, г
0.228

Дополнительная информация

Datasheet BCP55.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов