IRFI4227PBF

Ном. номер: 8001781581
PartNumber: IRFI4227PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFI4227PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFI4227PBFФото 3/3 IRFI4227PBF
66 руб.
2771 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 66 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
250 руб. 9 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 210 руб.
170 руб. 4 дня, 550 шт. 1 шт. 4 шт.
от 16 шт. — 110 руб.
от 31 шт. — 97 руб.
от 50 шт. — 91 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET: N, 200 В, Q1: N, 22mΩ / 10V, 26 А
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 26 А, Сопротивление открытого канала (мин) 25 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
26 А
Тип корпуса
TO-220FP
Максимальное рассеяние мощности
46 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
16.12мм
Размеры
10.63 x 4.83 x 16.12мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.63мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
17 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
11 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
25 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
73 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4600 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Вес, г
2.87

Техническая документация

irfi4227pbf
pdf, 290 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.