STP17NK40ZFP

Ном. номер: 8001781710
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STP17NK40ZFP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STP17NK40ZFP
130 руб.
836 шт. со склада г.Москва
от 41 шт. — 111 руб.
от 100 шт. — 107 руб.
от 200 шт. — 102 руб.
Мин. кол-во для заказа 37 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
230 руб. 139 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 180 руб.
от 5 шт. — 144 руб.
от 10 шт. — 130 руб.
120 руб. 6 дней, 294 шт. 1 шт. 16 шт.
от 31 шт. — 103 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 400 В; Iс(25°C): 15 А; Rси(вкл): 0.25 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 400 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 15 А, Сопротивление открытого канала (мин) 250 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
15 A
Тип корпуса
TO-220FP
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
16.4мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 16.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
25 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
55 нс
Серия
MDmesh, SuperMESH
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
250 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
400 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
65 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1900 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Вес, г
2.48

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов