Мой регион: Россия

IRLR024NTRPBF

Ном. номер: 8001781759
PartNumber: IRLR024NTRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRLR024NTRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRLR024NTRPBFФото 3/3 IRLR024NTRPBF
18 руб.
9137 шт. со склада г.Москва
от 390 шт. — 15.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 226 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
22 руб. 1244 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 17 руб.
от 150 шт. — 16 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, вес: 0.56

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7.1 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
20 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
110 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
480 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V

Техническая документация

IRLR024 IRLU024 DATASHEET
pdf, 174 КБ
irlr024n
pdf, 172 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.