IRLR3410PBF

Ном. номер: 8001781760
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRLR3410PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRLR3410PBFФото 3/5 IRLR3410PBFФото 4/5 IRLR3410PBFФото 5/5 IRLR3410PBF
38 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 150 шт. — 31 руб.
от 600 шт. — 29.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 126 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
39 руб. 485 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 34 руб.
от 150 шт. — 32 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 75, корпус: DPAK, АБ

MOSFET, N, 100V, 15A, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 17A Resistance, Rds On 0.105ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 2V Case Style DPAK Termination Type SMD Alternate Case Style D-PAK Current, Idm Pulse 60A Power Dissipation 79W Power, Pd 79W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 0.105ohm SMD Marking IRLR3410 Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 2.4°C/W Voltage, Vds 100V Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs th Max 2V
Корпус TO-252-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 105 мОм

Технические параметры

Вес, г
0.613

Техническая документация

irlr3410pbf
pdf, 285 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов