IKQ75N120CH3XKSA1

Ном. номер: 8001781848
PartNumber: IKQ75N120CH3XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IKQ75N120CH3XKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IKQ75N120CH3XKSA1Фото 3/3 IKQ75N120CH3XKSA1
920 руб.
356 шт. со склада г.Москва
от 9 шт. — 843 руб.
от 19 шт. — 796 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
940 руб. 4 дня, 30 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 870 руб.
от 3 шт. — 824 руб.
от 5 шт. — 790 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
IGBT транзистор

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 150 А, Напряжение насыщения К-Э 2.35 В, Максимальная мощность 938 Вт, Заряд затвора 370 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
150 А
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
938 Вт
Energy Rating
9.2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
5.1мм
Number of Transistors
1
Высота
21.1мм
Число контактов
3
Размеры
15.9 x 5.1 x 21.1мм
Скорость переключения
60кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Тип канала
A, P
Емкость затвора
4856пФ
Вес, г
8.77

Дополнительная информация

Datasheet IKQ75N120CH3XKSA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.