IPD60R180P7ATMA1

Ном. номер: 8001781854
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IPD60R180P7ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IPD60R180P7ATMA1Фото 3/3 IPD60R180P7ATMA1
120 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 46 шт. — 96.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 41 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
296 руб. 3-4 недели, 1689 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 219 руб.
от 30 шт. — 204 руб.
от 100 шт. — 190 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

'Высоковольтные N-канальные полевые МОП-транзисторы семейства CoolMOS P7. Имеют высокие динамические характеристики. Предназначены для AC-DC импульсных источников питания, адаптеров, зарядных устройств, инверторов.
Особенности CoolMOS P7:
лучшее в классе значение FOM (RDS(on) * Eoss);
наименьшее в классе пороговое напряжение включения V(GS)th от 3 В с малым разбросом ± 0.5 В;
электростатическая защита затвора (ESD класс, HBM).
'
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 180 мОм

Технические параметры

Вес, г
1.542

Дополнительная информация

Datasheet IPD60R180P7ATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов