IPP60R080P7XKSA1

Ном. номер: 8001782181
PartNumber: IPP60R080P7XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IPP60R080P7XKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IPP60R080P7XKSA1Фото 3/4 IPP60R080P7XKSA1Фото 4/4 IPP60R080P7XKSA1
270 руб.
104 шт. со склада г.Москва
от 30 шт. — 248 руб.
от 50 шт. — 234 руб.
Мин. кол-во для заказа 17 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
610 руб. 3-4 недели, 433 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 463 руб.
от 100 шт. — 370 руб.
530 руб. 2 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 470 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220

'Высоковольтные N-канальные полевые МОП-транзисторы семейства CoolMOS P7. Имеют высокие динамические характеристики. Предназначены для AC-DC импульсных источников питания, адаптеров, зарядных устройств, инверторов.
Особенности CoolMOS P7:
лучшее в классе значение FOM (RDS(on) * Eoss);
наименьшее в классе пороговое напряжение включения V(GS)th от 3 В с малым разбросом ± 0.5 В;
электростатическая защита затвора (ESD класс, HBM).
'
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 37 А, Сопротивление открытого канала (мин) 80 мОм

Технические параметры

Вес, г
2.833

Дополнительная информация

Datasheet IPP60R080P7XKSA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.