IRFZ34NPBF

Ном. номер: 8001782365
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRFZ34NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRFZ34NPBFФото 3/6 IRFZ34NPBFФото 4/6 IRFZ34NPBFФото 5/6 IRFZ34NPBFФото 6/6 IRFZ34NPBF
29 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 200 шт. — 23.60 руб.
от 800 шт. — 22.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 165 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
35 руб. 1856 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 31 руб.
от 150 шт. — 29 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 29 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
31 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
700 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
31 ns
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Высота
8.77мм
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
700 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.68

Техническая документация

IRFZ34NPBF Datasheet
pdf, 179 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFZ34NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов