IRL2203NPBF

Ном. номер: 8001782430
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRL2203NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRL2203NPBFФото 3/5 IRL2203NPBFФото 4/5 IRL2203NPBFФото 5/5 IRL2203NPBF
53 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 100 шт. — 43.50 руб.
от 450 шт. — 41.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 90 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
59 руб. 1463 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 51 руб.
от 150 шт. — 49 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, 30V, 100A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 100A Resistance, Rds On 0.007ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 400A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Power Dissipation 130W Power, Pd 130W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.2°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 30V Voltage, Vgs th Max 2.5V Voltage, Vgs th Min 1V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 116 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
116 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
180 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
23 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
7 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
60 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3290 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Вес, г
2.74

Техническая документация

IRL2203N Datasheet
pdf, 224 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRL2203NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов