STP11NM80

Ном. номер: 8001782519
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 STP11NM80
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 STP11NM80Фото 3/4 STP11NM80Фото 4/4 STP11NM80
150 руб.
478 шт. со склада г.Москва
от 38 шт. — 119 руб.
от 150 шт. — 113 руб.
Мин. кол-во для заказа 33 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
330 руб. 6 дней, 273 шт. 1 шт. 1 шт.
от 11 шт. — 180 руб.
от 22 шт. — 156 руб.
от 50 шт. — 143 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 400 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
150 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
22 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
46 нс
Серия
MDmesh
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
400 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
43,6 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1630 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Вес, г
2.748

Дополнительная информация

Datasheet STP11NM80
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов