Мой регион: Россия

IRF1404ZPBF

Ном. номер: 8001782520
PartNumber: IRF1404ZPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF1404ZPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF1404ZPBF
61 руб.
55 руб.
3249 шт. со склада г.Москва
от 150 шт. — 47.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 73 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
146 руб. 3-4 недели, 21247 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 118 руб.
от 100 шт. — 97 руб.
250 руб. 1-2 недели, 96 шт. 2 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 96 руб.
120 руб. 4 дня, 85 шт. 1 шт. 6 шт.
от 23 шт. — 73 руб.
от 50 шт. — 65 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
190 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
220 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
36 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
100 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4340 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.605

Техническая документация

IRF1404ZPBF Datasheet
pdf, 401 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.