IRG4IBC30UDPBF

Ном. номер: 8001782524
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRG4IBC30UDPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRG4IBC30UDPBFФото 3/3 IRG4IBC30UDPBF
150 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 38 шт. — 118 руб.
от 150 шт. — 112 руб.
Мин. кол-во для заказа 33 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
310 руб. 2 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 240 руб.
390 руб. 6 дней, 768 шт. 1 шт. 1 шт.
от 9 шт. — 220 руб.
от 18 шт. — 195 руб.
от 35 шт. — 180 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP, АБ

Корпус TO220FP, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 17 А, Напряжение насыщения К-Э 2.1 В, Максимальная мощность 45 Вт, Заряд затвора 50 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
17 А
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.83мм
Высота
9.02мм
Число контактов
3
Размеры
10.67 x 4.83 x 9.02мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
2.748

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов