IRFI4020H-117P

Ном. номер: 8001782554
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFI4020H-117P
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFI4020H-117PФото 3/3 IRFI4020H-117P
110 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 41 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
310 руб. 3 дня, 15 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 180 руб.
320 руб. 7 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 250 руб.
от 5 шт. — 198 руб.
190 руб. 4 дня, 32 шт. 1 шт. 10 шт.
от 20 шт. — 168 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220F5, АБ

Корпус TO220F5, Конфигурация и полярность Dual N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 80 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9,1 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
21 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
9.02мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 9.02мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
2
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Серия
Типичное время задержки включения
8,4 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
18 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
5
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
19 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1240 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
3.4

Техническая документация

IRFI4020H-117P datasheet
pdf, 222 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFI4020H-117P
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов